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供应：2mbi200u4b-120-50n
- 型 号：
- 供应：2mbi200u4b-120-50n
- 价 格：
- 电议
- 订货量：
- (pcs)：>=50000
- 发货地点：
- 广东省/深圳
- 产品类别：
- 耗尽型mos管(n沟道)
- 更新时间：
- 2020/12/14 9:55:14
商品详情
供应：2mbi200u4b-120-50n
2mbi200u4d-120-50
原装现货：2mbi200u4b-120-50n
2mbi200u4d-120-50
fuji2mbi200u4b-120-50n通道igbt模块,双、发射极-集电极,200a1200v,7针m233封装产品型号：2mbi200u4b-120-50n2mbi200u4d-120-50 销售热线：13316805607 销售：qq1136493797
产品品牌：fuji
产品参数信息：
安装类型：螺丝
宽度：45mm
封装类型：m233
尺寸：92x45x30mm
引脚数目：7
最大功率耗散：1040w
最大栅极发射极电压：±20v
最大连续集电极电流：200a
最大集电极-发射极电压:1200v
最高工作温度: 150°c
通道类型:n
配置:双、发射极-集电极
长度:92mm
高度:30mm
产品详细信息：igbt模块，2个装，fujielectric
v-系列，第6代现场挡块
u/u4系列，第5代现场挡块
s-系列，第4代npt
igbt分立件和模块，fujielectric
2mbi200u4b-120-50n绝缘栅级双极性晶体管或igbt是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。igbt通过将用于控制输入的隔离栅极fet和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将mosfet的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 更多关于型号价格和技术资料，请与我们公司的销售人员联系咨询，谢谢！
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