bsm150gt120dn2德国英飞凌igbt模块
- 型 号:
- bsm150gt120dn2德国英飞凌igbt模块
- 价 格:
- 1550
- 订货量:
- (pcs):>=1
- 发货地点:
- 江苏省/苏州
- 产品类别:
- btg可控硅
- 更新时间:
- 2022/11/16 23:00:14
商品详情
极数:三极
封装外形:平板形
品牌:德国英飞凌igbt模块
型号:bsm150gt120dn2
控制方式:1
关断速度:1
散热功能:1
频率特性:1
功率特性:1
额定正向平均电流:1
控制极触发电流:1
最大稳定工作电流:1
反向重复峰值电压:1
控制极触发电压:1
正向重复峰值电压:1
反向阻断峰值电压:1
bsm150gt120dn2 产品信息:
品牌:英飞凌/欧派克
型号: bsm150gt120dn2
工作电压: 1200v
工作电流: 150a
单元: 3u
封装:模块
类型: igbt
批号:10
数量:105
备注:全新进口
igbt模块使用上的注意事项
1. igbt模块的选定
在使用igbt模块的场合,选择何种电压,电流规格的igbt模块,需要做周密的考虑。
a. 电流规格
igbt模块的集电极电流增大时,vce(-)上升,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,原件发热加剧。因此,根据额定损耗,开关损耗所产生的热量,控制器件结温(tj)在 150oc以下(通常为安全起见,以125oc以下为宜),请使用这时的集电流以下为宜。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热也加剧,需十分注意。
一般来说,要将集电极电流的最大值控制在直流额定电流以下使用,从经济角度这是值得推荐的。
2. 防止静电
igbt的vge的耐压值为±20v,在igbt模块上加出了超出耐压值的电压的场合,由于会导致损坏的危险,因而在栅极-发射极之间不能超出耐压值的电压,这点请注意。
在使用装置的场合,如果栅极回路不合适或者栅极回路完全不能工作时(珊极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则igbt就会损坏,为防止这类损坏情况发生,应在栅极一发射极之间接一只10kω左左的电阻为宜。
此外,由于igbt模块为mos结构,对于静电就要十分注意。因此,请注意下面几点:
1)在使用模块时,手持分装件时,请勿触摸驱动端子部份。
2)在用导电材料连接驱动端子的模块时,在配线未布好之前,请先不要接上模块。
3)尽量在底板良好接地的情况下操作。
4)当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电放电后,再触摸。
5)在焊接作业时,焊机与焊槽之间的漏泄容易引起静电压的产生,为了防止静电的产生,请先将焊机处良好的接地状态下。
6)装部件的容器,请选用不带静电的容器。
3.并联问题
用于大容量逆变器等控制大电流场合使用igbt模块时,可以使用多个器件并联。并联时,要使每个器件流过均等的电流是非常重要的,如果一旦电流平衡达到破坏,那么电过于集中的那个器件将可能被损坏。为使并联时电流能平衡,适当改变器件的特性及接线方法。例如。挑选器件的vce(sat)相同的并联是很重要的。
4.其他注意事项
1)保存半导体原件的场所的温度,温度,应保持在常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5-35℃,常湿的规定为45—75%左右。
2)开、关时的浪涌电压等的测定,请在端子处测定。