mt29f1g08abaeawp-it:e nand闪存 slc 1g
- 标 题:
- mt29f1g08abaeawp-it:e nand闪存 slc 1g
- 订货量:
- (pcs):>=100
- 发货地点:
- 广东省/深圳市/福田区
- 产品类别:
- 存储器
- 更新时间:
- 2023/6/29 11:17:07
商品详情
制造商:micron technology
产品种类:nand闪存
rohs: 详细信息
安装风格:smd/smt
封装 / 箱体:tsop-48
系列:mt29f
存储容量:1 gbit
接口类型:parallel
组织:128 m x 8
定时类型:asynchronous
数据总线宽度:8 bit
电源电压-最小:2.7 v
电源电压-最大:3.6 v
电源电流—最大值:35 ma
最小工作温度:- 40 c
最大工作温度: 85 c
封装:tray
有源读取电流(最大值):35 ma
商标:micron
湿度敏感性:yes
产品:nand flash
产品类型:nand flash
960
子类别:memory & data storage
单位重量:7.284 g
mt29f1g08abaeawp-it:e nand闪存
特点
?开放式nand闪存接口(onfi)1.0兼容1
?单级电池(slc)技术
?组织
–页面大小x8:2112字节(2048 64字节)
–页面尺寸x16:1056个单词(1024 32个单词)
–块大小:64页(128k 4k字节)
–平面尺寸:2个平面x每个平面512块
–设备大小:1gb:1024个块
?异步i/o性能
——
trc/twc:20纳秒(3.3伏),25纳秒(1.8伏)
?阵列性能
–读取页面:25μs
–程序页面:200μs(典型值,3.3v和1.8v)
–擦除块:700μs(typ)
?命令集:onfi nand闪存协议
?高级命令集
–程序页面缓存模式
–读取页面缓存模式
–一次性可编程(otp)模式
–两个平面命令
–读取唯一id
–内部数据移动
–块锁(仅1.8v)
?操作状态字节为
探测
–操作完成
–通过/失败条件
–写入保护状态
?支持的内部数据移动操作
从中读取数据的设备
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