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ipd200n15n3 g infineon mosfet
- 型 号：
- ipd200n15n3 g infineon mosfet
- 订货量：
- ()：>=800000
- 发货地点：
- 广东省/深圳
- 产品类别：
- 场效应管
- 更新时间：
- 2020/9/8 12:06:25
商品详情
ipd200n15n3 g infineon mosfet to-252 19 全新原装正品 全系列优势英飞凌nosfet管 公司大量原装现货 欢迎来电咨询！！
与次优竞品相比，150v optimos™ r ds(on) 降低 40%，品质因数 (fom) 降低 45%。这一显著改进创造了全新的可能性，如从引脚封装转变为 smd 封装或使用一个 optimos™ 部件有效替换两个原有部件。
特征描述
优异的开关性能
世界较低的 (r ds(on))
极低的 qg 和 qgd
出色的栅极电荷 x r ds（on）产品（fom）
符合 rohs - 无卤素
msl1 评级 2
优势
环保
提高效率
极高的功率密度
减少所需的并联
极低的板空间消耗
产品易于设计
| parametrics | ipd200n15n3 g |
|---|---|
| budgetary price €/1k | 0.85 |
| ciss | 1820.0 pf |
| coss | 214.0 pf |
| id max | 50.0 a |
| idpulsmax | 200.0 a |
| operating temperature minmax | -55.0 °c 175.0 °c |
| ptotmax | 150.0 w |
| package | dpak (to-252) |
| polarity | n |
| qg (typ @10v) | 23.0 nc |
| rds (on) (@10v) max | 20.0 mω |
| rth | 1.0 k/w |
| vdsmax | 150.0 v |
| vgs(th) (typ) minmax | 3.0 v 2.0 v 4.0 v |
