晶体管 -ag凯发旗舰厅

制造商

vishay siliconix

制造商零件编号

si7617dn-t1-ge3

描述

mosfet p-ch 30v 35a 1212-8 ppak

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(rohs)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(rohs)规范要求

湿气敏感性等级 （msl）1（无限）

标准包装  3,000

包装  标准卷带  

零件状态在售

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - fet，mosfet - 单

系列trenchfet®

规格

fet 类型p 沟道

技术mosfet（金属氧化物）

漏源电压（vdss）30v

电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）35a（tc）

驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）4.5v，10v

不同 id，vgs 时的 rds on（最大值）12.3 毫欧 @ 13.9a，10v

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）2.5v @ 250μa

不同 vgs 时的栅极电荷 （qg）（最大值）59nc @ 10v

vgs（最大值）±25v

不同 vds 时的输入电容（ciss）（最大值）1800pf @ 15v

fet 功能-

功率耗散（最大值）3.7w（ta），52w（tc）

工作温度-55°c ~ 150°c（tj）

安装类型表面贴装

供应商器件封装powerpak® 1212-8

封装/外壳powerpak® 1212-8