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电子元器件 > 场效应管 > 结型场效应管(n沟道) > stp26nm60n 场效应管 600v 20a to-220
stp26nm60n 场效应管 600v 20a to-220
- 型 号：
- stp26nm60n 场效应管 600v 20a to-220
- 价 格：
- 面议
- 订货量：
- (pcs)：>=5
- 发货地点：
- 广东省/深圳
- 产品类别：
- 结型场效应管(n沟道)
- 更新时间：
- 2023/10/10 10:27:07
商品详情
封装外形：cer-dip/陶瓷直插
材料：ge-n-fet锗n沟道
用途：a/宽频带放大
品牌：stmicroelectronics
型号：stp26nm60n
种类：mosfet
沟道类型：n-ch
开启电压：600v
极间电容：1800pf @ 50v
最大漏极电流：20a（tc）
最大耗散功率：140w（tc）
材料：ge-n-fet锗n沟道
用途：a/宽频带放大
品牌：stmicroelectronics
型号：stp26nm60n
种类：mosfet
沟道类型：n-ch
开启电压：600v
极间电容：1800pf @ 50v
最大漏极电流：20a（tc）
最大耗散功率：140w（tc）
型号：stp26nm60n
品牌：stmicroelectronics
产品描述：分立式半导体
mosfet n-ch 600v 20a to-220
产品种类：mosfet
晶体管极性：n-channel
汲极/源极击穿电压：600 v
封装：tube
最小工作温度：- 55 c
功率耗散：140 w
闸/源击穿电压： /- 25 v
漏极连续电流：20 a
导通电阻：165 mohms
最大工作温度： 150 c
安装风格：through hole
封装：to-220
上升时间：25 ns
系列：stp26nm60n
工厂包装数量：50
价格：面议
数量：18960
备注：深圳市勤思达科技有限公司长期供应mosfet晶体管 stp26nm60n
正品原装，厂家直销品质保证，欢迎广大客户朋友咨询谈。
